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INSPECTION

6(a)

铅作为合金元素，用于加工目的的钢和镀锌钢中铅含量最高为 0.35%（质量比）

截至【授权指令生效后 12 个月】。

6(a)-I

铅作为合金元素，用于加工目的的钢中铅含量最高为 0.35%（质量比）*

所有类别，截止至 2026 年 12 月 31 日。

6(a)-II

铅作为合金元素，用于批量热浸镀锌钢部件中铅含量最高为 0.2%（质量比）*

所有类别，截止至 2026 年 12 月 31 日。

6(b)

铅作为合金元素，用于铝中铅含量最高为 0.4%（质量比）

截至【授权指令生效后 12 个月】。

6(b)-I

铅作为合金元素，用于铝中铅含量最高为 0.4%（质量比），前提是该合金元素来自回收的含铅铝废料*

第 1-7 类、第 10 类，截止【授权指令生效后 12 个月】。

第 9 类工业监控和控制仪器和第 11 类，截止 2026 年 12 月 31 日。

6(b)-II

铅作为合金元素，用于加工目的的铝中铅含量最高为 0.4%（质量比）*

第 1-7 类、第 10 类，截止【授权指令生效后 18 个月】。

第 9 类（工业监测和控制仪器）和第 11 类，截至2026 年 12 月 31 日。*

6(b)-III

铅作为合金元素，用于铝铸造合金中铅含量最高为 0.3%（质量比），前提是该合金元素来自回收的含铅铝废料*

第1-8类、第9类（工业监控和控制仪器除外）和第10类，截至2026年12月31日。

6(c)

铅含量最高为 4%（质量比）的铜合金*

截至2026 年 12 月 31日。

7(a)

高熔点焊料中的铅（即含铅量为 85% 或以上的铅基合金）

适用于所有类别（本附件第 24 条涵盖的申请除外），截至 2026 年 12 月 31 日。

7(a)-I

高熔点焊料中的铅（即含铅量为 85% 或以上的铅基合金），用于半导体封装中的内部互连，以附着芯片或其他组件，以及与芯片一起使用的组件，适用于稳态或瞬态/脉冲电流为0.1A或更大，或阻断电压超过10V，或芯片边缘尺寸大于0.3mm x 0.3mm的情况。

适用于所有类别（本附件第 24 条涵盖的申请除外），截至 2027 年 12 月 31 日。

7(a)-II

高熔点焊料（即铅含量为 85% 或以上的铅基合金）中的铅，用于电气和电子元件中芯片粘接的整体（即内部和外部）连接，如果满足以下所有条件：

- 固化/烧结芯片粘接材料的热导率 >35W/(m*K)，

- 固化/烧结芯片粘接材料的电导率 >4.7ms/m，

- 固相线熔化温度高于 260°C。

适用于所有类别（本附件第 24 条涵盖的申请除外），截至 2027 年 12 月 31 日。

7(a)-III

制造元件时，高熔点焊料（即铅含量为 85% 或以上的铅基合金）中的铅，用于制造元件的第一级焊点（内部或整体连接 - 即内部和外部），以便随后使用次级焊料将电子元件安装到子组件（即模块、子电路板、基板或点对点焊接）上时不会使第一级焊料回流。本子条目不包括芯片连接应用和密封。

适用于所有类别（本附件第 24 条涵盖的申请除外），截至 2027 年 12 月 31 日。

7(a)-IV

高熔点焊料中的铅（即铅含量为 85% 或以上的铅基合金），

用于将元器件连接到印刷电路板或引线框架的二级焊点：

1. 用于连接陶瓷球栅阵列 (BGA) 的焊球，

2. 高温塑料包覆成型件（> 220°C）中的铅。

适用于所有类别（本附件第 24 条涵盖的申请除外），截至 2027 年 12 月 31 日。

7(a)-V

高熔点焊料（即铅含量为 85% 或以上的铅基合金）中的铅，作为以下部件之间的密封材料：

1. 陶瓷封装或插头与金属外壳之间，

2. 元件端子与内部子部件之间。

适用于所有类别（本附件第 24 条涵盖的申请除外），截至 2027 年 12 月 31 日。

7(a)-VI

高熔点型焊料（即含铅量为 85% 或以上的铅基合金）中的铅，用于在红外加热白炽反射灯、高强度放电灯或烤箱灯中建立灯组件之间的电气连接。

适用于所有类别（本附件第 24 条涵盖的申请除外），截至 2027 年 12 月 31 日。

7(a)-VII

高熔点焊料中的铅（即铅含量为 85% 或以上的铅基合金），用于峰值工作温度超过 200°C 的音频传感器。

适用于所有类别（本附件第 24 条涵盖的申请除外），截至 2027 年 12 月 31 日。

7(c)-I

电气和电子元件中含有铅的玻璃或陶瓷（电容器中的介电陶瓷除外）（例如压电设备）或玻璃或陶瓷基体化合物。

适用于所有类别，截至 2026 年 12 月 31 日。

7(c)-II

额定电压为 125 V AC 或 250 V DC 或更高的电容器中介电陶瓷中的铅，第 7(c)-I 或 7(c)-IV 条涵盖的应用除外。

适用于所有类别，截至 2027 年 12 月 31 日。

7(c)-V

电气和电子元件，在玻璃或玻璃基质化合物中含有铅，可实现以下任一功能：

1) 用于高压二极管玻璃珠和基于铅锌硼酸盐或铅硅硼酸盐玻璃体的晶圆玻璃层的保护和电绝缘；

2) 用于陶瓷、金属和/或玻璃部件之间的密封；

3) 用于工艺参数窗口内 < 500 °C 的粘合目的，粘度为 1013.3 dPas（“玻璃化转变温度”）；

4) 用作电阻材料（如墨水），电阻率范围为 1 欧姆/平方至 1 兆欧姆/平方，不包括微调电位器；

5) 用于微通道板 (MCP)、通道电子倍增器 (CEM) 和电阻玻璃产品 (RGP) 的化学改性玻璃表面。

适用于所有类别，截至 2027 年 12 月 31 日。

7(c)-VI

电气和电子元件中含有满足以下任何功能的陶瓷中的铅（不包括本附件第 7(c)-II、7(c)-III 和 7(c)-IV 条以及附件 IV 第 14 条所涵盖的项目）：

1) 用于压电锆钛酸铅 (PZT) 陶瓷；

2) 用于提供具有正温度系数 (PTC) 的陶瓷。

适用于所有类别，截至 2027 年 12 月 31 日。